CXMT、高密度DRAM工程で量産開始を表明

第5世代工程で量産開始と発表

CXMTは、第5世代のDRAM工程で製造したチップの量産を始めたと発表した。
同社によると、この工程は、シリコンの効率向上を狙う絶縁技術「高k誘電体メタルゲート」をDRAMに適用したものだという。
メモリー密度を実質的に2倍にし、スマートフォンなど高性能な消費者向け電子機器向けの24GB LPDDR5Xモジュール2製品が成果例だとしている。

今回CXMTが説明したのは、同社の第5世代DRAM工程を使うチップ製造だ。

CXMTは、実質的にメモリー密度を2倍にする第5世代DRAM工程で量産を始めたと発表した。

密度と供給力に関する主張

事実であれば、より高密度なDRAMを製造するCXMTの能力が大きく変わることになる。
1枚のウエハーから得られるメモリーダイが増えるという主張は、メモリー供給の逼迫と価格上昇に直面する電子機器メーカーにとっても意味を持ちうる。